台积电2nm工艺进入研发阶段：升级GAA晶体管、改进EUV效率

做为全球最大最先进的晶圆代工厂，台积电在7nm、5nm节点上领先三星等对手，明年面还会量产3nm工艺，接下来则是2nm工艺。台积电计划未来三年投资1000亿美元，其中先进工艺花费的资金最多，2nm工艺也是前所未有的新工艺，台积电去年称2nm工艺取得了重大进展，进度比预期的要好。

实际上台积电的2nm工艺没有宣传的那么夸张，此前只是技术探索阶段，寻找到了可行的技术路径。

现在2nm工艺才算是进入了研发阶段，重点转向了测试载具设计、光罩制作及硅试产等方向。

根据台积电的说法，2nm工艺节点上，他们也会放弃FinFET晶体管结构，转向GAA环绕栅极结构，此前三星更为激进，在3nm节点就会弃用GAA晶体管，不过这两家的GAA晶体管结构也不会一样，孰优孰劣还没定论。

在2nm节点，光刻工艺更加重要，EUV光刻是少不了的，但此前的EUV工艺还存在不少问题，台积电的2nm节点也会重点改进EUV工艺，提高光刻中的质量及效率。

至于量产时间，台积电的2nm工厂现在还在起步阶段，此前消息称是2023年试产2nm工艺，2024年量产。