SK 海力士：计划在 2026 年前量产 HBM4 内存

    IT之家2月4日消息，随着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)行业的飞速发展，对内存带宽的要求也水涨船高。目前拥有9.6 GT/s数据传输速率的HBM3E内存刚刚实现量产，但下一代HBM4内存已经箭在弦上，预计在两年内与大家见面。

　　根据Business Korea报道，SK海力士公司副总裁Chun-hwan Kim在SEMICON Korea 2024大会上表示，他们正计划于2026年之前实现HBM4的量产，以满足生成式人工智能快速发展带来的巨大需求。生成式人工智能市场预计将以每年35%的速度增长，这将推动处理器性能的提升，进而对内存带宽提出更高的要求。

　　据IT之家了解，目前单颗HBM3E内存堆栈能够提供高达1.2TB/s的理论峰值带宽，如果一个内存子系统包含6个堆栈，总带宽则可达到惊人的7.2 TB/s。然而，理论值与实际应用之间存在差距。例如，英伟达的H200显卡虽然搭载了HBM3E内存，但其提供的带宽“只有”4.8 TB/s，这可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。

　　为了进一步提升内存带宽，HBM4将采用2048位接口，理论峰值带宽可超过1.5 TB/s。为了控制功耗，HBM4的数据传输速率预计保持在6 GT/s左右。不过，2048位接口需要更复杂的布线设计，这将导致HBM4的成本高于HBM3和HBM3E。

　　除了SK海力士，三星也在积极研发HBM4内存，并同样计划于2026年量产。值得一提的是，三星还针对特定客户开发定制化HBM内存解决方案。

　　三星内存业务执行副总裁Jaejune Kim表示：“HBM4目前正在开发中，预计在2025年提供样品，2026年实现量产。由于生成式人工智能的需求，定制化HBM内存也越来越受欢迎。我们不仅在开发标准产品，还将与关键客户讨论通过添加逻辑芯片为每个客户定制优化性能的HBM内存。”